Действительный член Академии наук Республики Татарстан

Хайбуллин Ильдус Бариевич 

(1937 – 2007)

Член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор. Лауреат Государственной премии СССР, заслуженный деятель науки РТ, заслуженный изобретатель ТАССР. Главный ученый секретарь АН РТ (1992 – 2006 г.), заведующий лабораторией радиационной физики Физико-технического института им. Е.К.Завойского КНЦ РАН.

Основные научные труды по радиационной физике твердого тела, полупроводниковой микроэлектронике и вычислительной технике. В 1974 г. открыл (в соавторстве с Е.И.Штырковым, М.М.Зариповым, М.Ф.Галяутдиновым, Р.М.Баязитовым) новое физическое явление импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (полупроводников), которое приобрело известность в мире как лазерный отжиг полупроводников. Разработал физические основы ионно-импульсной модификации материалов (полупроводников, металлов и диэлектриков).

Открытие И.Б. Хайбуллина легло в основу нового научного направления по модификации кристаллической структуры и фундаментальных свойств тел импульсными потоками корпускулярного и (или) электромагнитного излучения и стимулировало во многих научных центрах нашей страны и мира проведение интенсивных исследований в рамках данного направления.

Центр перспективных экономических исследований Академии Наук РТ 50 лучших инновационных идей для Республики Татарстан Виртуальный музей-библиотека Академии Наук Республики Татарстан Татарстанский ЦНТИ